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二硫化钼不同层数有不同带隙，滑雪横财那如果在同一二硫化钼上实现不同层数，滑雪横财是不是就可以实现各种同质结和宽光谱探测了呢？这么心思巧妙又简单可行的方法是一名韩国偶吧或者更可能是阿加西提出的。可以看出，滑雪横财该工作的阵列化的单层/多层MoS2同质结在保持快速光响应的同时，表现出最宽的光响应波长范围和最高的光响应率。
可看出，滑雪横财type3和type4的光响应度分别是type2的5.53和1.94倍，这是由于在同质结内建电场区电子空穴对更容易产生造成的。图1g-1j分别为阵列化同质结的SEM、滑雪横财高分辨SEM、AFM高度图以及3D形貌图，证明了通过此种方法实现了均匀的阵列化的同质结。同质结的结构不仅提高了光响应度，滑雪横财而且提高了光响应速度。
而串联式同质结的响应时间大大降低，滑雪横财其上沿/下沿时间可从9.655/6.93s降低至0.02/0.025s。随着入射光功率降低，滑雪横财光响应度逐渐升高，响应时间逐渐减小，如图3e和3f。
MoS2是最具代表性的过渡金属二卤化物(TMD)材料，滑雪横财当其由块体减薄至单层时，其带隙会由1.29eV变到1.9eV，且由间接带隙变为直接带隙。
图2f中，滑雪横财type3和type4的上沿/下沿时间都低于type2的。对微片进行包衣不仅可以矫味，滑雪横财还可通过调节包衣工艺参数获得缓控释效果
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